SS12L R3Gの技術仕様
TSC (Taiwan Semiconductor) - SS12L R3G技術仕様、属性、パラメーター、およびTSC (Taiwan Semiconductor) - SS12L R3G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Taiwan Semiconductor | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 450mV @ 1A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 20V | |
| サプライヤデバイスパッケージ | Sub SMA | |
| 速度 | Fast Recovery = 200mA (Io) | |
| シリーズ | - | |
| パッケージング | Original-Reel® | |
| パッケージ/ケース | DO-219AB | |
| 他の名前 | SS12L R3GDKR SS12L R3GDKR-ND SS12LR3GDKR |
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| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 125°C |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | |
| メーカーの標準リードタイム | 25 Weeks | |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | |
| ダイオードタイプ | Schottky | |
| 詳細な説明 | Diode Schottky 20V 1A Surface Mount Sub SMA | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 400µA @ 20V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 1A | |
| Vrと、F @キャパシタンス | - |
右側の三つのパーツはTSC (Taiwan Semiconductor) SS12L R3Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SS12L R3G | SS12P2L-M3/86A | SS12FP | SS12P3L-M3/86A |
| メーカー | TSC (Taiwan Semiconductor) | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | onsemi | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| サプライヤデバイスパッケージ | Sub SMA | TO-277A (SMPC) | SOD-123HE | TO-277A (SMPC) |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 1A | 12A | 1A | 12A |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 400µA @ 20V | 1 mA @ 20 V | 400 µA @ 20 V | 1 mA @ 30 V |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
| ダイオードタイプ | Schottky | - | - | - |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | - | - | - |
| パッケージング | Original-Reel® | - | - | - |
| 他の名前 | SS12L R3GDKR SS12L R3GDKR-ND SS12LR3GDKR |
- | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| シリーズ | - | eSMP® | Automotive, AEC-Q101 | eSMP® |
| Vrと、F @キャパシタンス | - | 930pF @ 4V, 1MHz | 80pF @ 4V, 1MHz | 930pF @ 4V, 1MHz |
| メーカーの標準リードタイム | 25 Weeks | - | - | - |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 20V | 20 V | 20 V | 30 V |
| 詳細な説明 | Diode Schottky 20V 1A Surface Mount Sub SMA | - | - | - |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 125°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| 速度 | Fast Recovery = 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 450mV @ 1A | 560 mV @ 12 A | 450 mV @ 1 A | 560 mV @ 12 A |
| パッケージ/ケース | DO-219AB | TO-277, 3-PowerDFN | SOD-123H | TO-277, 3-PowerDFN |
SS12L R3G - TSC (Taiwan Semiconductor)のSS12L R3G PDFデータテーブルとTSC (Taiwan Semiconductor)ドキュメントをダウンロード
SS12D07VG4SS12P2L-M3/86AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 20V 12A TO277ASS12FPonsemiDIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123HE
SS12HE3_B/HElectro-Films (EFI) / VishaySS12P3L-M3/86AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 30V 12A TO277ASS12P4C-M3/86AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO277ASS12P4CHM3/86AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO277A
SS12FPFairchild SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123HE
SS12HE3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 20V 1A DO214ACSS12P2LHM3/86AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 20V 12A TO277ASS12P2LElectro-Films (EFI) / Vishay
SS12LP14E-QX8ESilicon PowerSS12801R1YLBABCSS12DLC-BTINYSEMISS12HE3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 20V 1A DO214AC
SS12L R3Taiwan SemiconductorSS12P3LHM3/86AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 30V 12A TO277ASS12807R5Y2BABC| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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